کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8018283 1517236 2015 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of Cu2ZnSnSe4 and Cu2FeSnSe4 thin films by AACVD from molecular precursors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Growth of Cu2ZnSnSe4 and Cu2FeSnSe4 thin films by AACVD from molecular precursors
چکیده انگلیسی
Phase pure Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) and Cu2FeSnSe4 (CFTSe) thin films have been deposited onto glass substrates by Aerosol Assisted Chemical Vapour Deposition (AACVD) using mixtures of (triphenylphosphine)(tetraphenyldiselenoimidodiphosphinato)copper(I) [Cu(PPh3)[Ph2P(Se)N(Se)PPh2]], tris(2,4-pentanedionato)iron(III) [Fe(acac)3], tin(IV) acetate [Sn(OAc)4] and bis(2,4-pentanedionato)zinc(II) [Zn(acac)2]. Structure, morphology and optical properties of the deposited films were studied. The band gaps of CZTSe and CFTSe films were found to be between 1.0 and 1.2 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 152, 1 August 2015, Pages 60-64
نویسندگان
, , , ,