کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8018283 | 1517236 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of Cu2ZnSnSe4 and Cu2FeSnSe4 thin films by AACVD from molecular precursors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Phase pure Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) and Cu2FeSnSe4 (CFTSe) thin films have been deposited onto glass substrates by Aerosol Assisted Chemical Vapour Deposition (AACVD) using mixtures of (triphenylphosphine)(tetraphenyldiselenoimidodiphosphinato)copper(I) [Cu(PPh3)[Ph2P(Se)N(Se)PPh2]], tris(2,4-pentanedionato)iron(III) [Fe(acac)3], tin(IV) acetate [Sn(OAc)4] and bis(2,4-pentanedionato)zinc(II) [Zn(acac)2]. Structure, morphology and optical properties of the deposited films were studied. The band gaps of CZTSe and CFTSe films were found to be between 1.0 and 1.2Â eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 152, 1 August 2015, Pages 60-64
Journal: Materials Letters - Volume 152, 1 August 2015, Pages 60-64
نویسندگان
Punarja Kevin, Sajid N. Malik, Mohammad Azad Malik, Paul O׳Brien,