کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8022457 | 1517319 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Zinc addition changes the semiconductor properties of oxide films of Alloy600 in high temperature water
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠The oxide films on Alloy 600 are formed with Na2SO4 or ZnSO4 addition. ⺠A band gap energy of 3.2 eV according to ZnO from the photocurrent response. ⺠The flat band potential moves to the negative potential with ZnSO4 addition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 68, 1 February 2012, Pages 36-39
Journal: Materials Letters - Volume 68, 1 February 2012, Pages 36-39
نویسندگان
Shenghan Zhang, Yu Tan, Kexin Liang,