کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8022821 | 1517319 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis and characterization of NiO-doped p-type AZO films fabricated by sol-gel method
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Synthesis and characterization of NiO-doped p-type AZO films fabricated by sol-gel method Synthesis and characterization of NiO-doped p-type AZO films fabricated by sol-gel method](/preview/png/8022821.png)
چکیده انگلیسی
⺠NiO doped p-type AZO films was first prepared by sol-gel method. ⺠NiO:AZO films showed a polycrystalline Ni2O3 (202) phase. ⺠p-type conductivity achieved by annealing in N2/H2forming gas at 550 °C. ⺠p-n junction (ITO/NiO:AZO) revealed rectifying I-V characteristics. ⺠The mean optical transmittance of NiO:AZO films >80 %.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 68, 1 February 2012, Pages 283-286
Journal: Materials Letters - Volume 68, 1 February 2012, Pages 283-286
نویسندگان
Lei Li, K.S. Hui, K.N. Hui, H.W. Park, D.H. Hwang, Shinho Cho, S.K. Lee, P.K. Song, Y.R. Cho, Heesoo Lee, Y.G. Son, W. Zhou,