کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8024487 1517549 2018 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Preparation of silicon carbide coating by chemical vapor deposition by using hexamethyldisilylamine precursor
ترجمه فارسی عنوان
تهیه پوشش کاربید سیلیکون (سیلیسیوم) به‌وسیله رسوب‌دهی (انباشت) شیمیایی از فاز بخار با استفاده از پیش‌ساز هگزامتیل‌دی‌سیلیل‌آمین
کلمات کلیدی
SiC، پوشش‌دهی، CVD، بلور، عیوب چینش، دوقلو
فهرست مطالب مقاله
چکیده

کلمات کلیدی

1.مقدمه

شکل 1. شکل شماتیک راکتور رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار مورد استفاده در این پژوهش.

2. مطالعات تجربی

3. نتایج و بحث

شکل 2. الگوهای XRD پوشش‌های SiC در دماهای رسوب‌دهی (a) °C 1010، (b) °C 1060، (c) °C 1100، (d) °C 1130، و (f) °C 1220 به مدت 2 ساعت

شکل 3. مورفولوژی SEM سطح پوشش SiC پس از رسوب‌دهی در (a) °C 1010، (b) °C 1060، (c) °C 1100، (d) °C 1130، و (f) °C 1220 به مدت 2 ساعت.

شکل 4. تصاویر بزرگنمایی شده سطوح پوشش؛ (a) شکل 3(d)؛ (b) شکل 3(e)؛ (c) شکل 3(f). 

شکل 5. زبری سطح (Ra) سطوح نمونه قبل و بعد از فرآیند CVD در دماهای مختلف رسوب‌دهی.

شکل 6. مورفولوژی سطح مقطع پوشش‌های SiC در دماهای رسوب‌دهی (a) °C 1010، (b) °C 1060، (c) °C 1100، (d) °C 1130، و (f) °C 1220 به مدت 2 ساعت. 

شکل 7. مورفولوژی TEM پوشش SiC در دمای رسوب‌دهی 1180 و الگوهای SAED متناظر نواحی A و B (S مخفف زیرلایه و T مخفف دوقلو است).

شکل 9. شکل شماتیک تشکیل عیب چینش در ساختار مکعبی با وجوه مرکزدار.

4. نتیجه‌گیری
ترجمه چکیده
برای اولین بار به‌وسیله رسوب‌دهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) با استفاده از هگزامتیل‌دی‌سیلیل‌آمین (HMDS، C6H19NSi2) به‌عنوان پیش‌ساز و N2 به‌عنوان گاز حامل در محدوده دمای متوسط، پوشش کاربید سیلیکون (SiC) بر روی زیرلایه (بستر) کامپوزیت C/C رسوب داده شد. با استفاده از پراش پرتو ایکس (XRD)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM)، اثرات دمای رسوب‌دهی بر ساختار فاز، مورفولوژی سطح و نرخ رسوب‌دهی پوشش مورد مطالعه قرار گرفت. این پوشش در دماهای °C 1010، °C 1060 و °C 1100 فاز β-SiC (3C)، در دماهای °C 1130 و °C 1180 وجود همزمان فازهای α-SiC (2H) و β-SiC (3C)، و در دمای °C 1220 نیز دوباره فاز واحد β-SiC (3C) را به نمایش می‌گذارد. با تغییر دمای رسوب‌دهی، مورفولوژی و ریزساختار این پوشش تغییر چشمگیری می‌کند. تغییر ساختار فاز و مورفولوژی سطح با هسته‌زایی، رشد و شکل‌گیری نقص در بلورهای SiC در طی فرآیند CVD ارتباط نزدیکی دارد.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش مقاله
تهیه پوشش کاربید سیلیکون (سیلیسیوم) به‌وسیله رسوب‌دهی (انباشت) شیمیایی از فاز بخار با استفاده از پیش‌ساز هگزامتیل‌دی‌سیلیل‌آمین
چکیده انگلیسی
Silicon carbide (SiC) coating is deposited on C/C composite substrate for the first time by chemical vapor deposition (CVD) with hexamethyldisilylamine (HMDS, C6H19NSi2) as precursor and N2 as carrier gas in an intermediate deposition temperature range. The effects of deposition temperature on phase constitution, surface morphology and deposition rate of the coating are investigated by using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and transmission electron microscopy (TEM). The coating exhibits a β-SiC (3C) phase at 1010 °C, 1060 °C and 1100 °C, coexistence of both α-SiC (2H) and β-SiC (3C) phases at 1130 °C and 1180 °C, as well as a single β-SiC (3C) phase again at 1220 °C. The morphology and microstructure of coating change significantly with deposition temperature. The change of phase constitution and surface morphologies are closely linked to nucleation, growth and defects formation in SiC crystals during CVD process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 334, 25 January 2018, Pages 78-83
نویسندگان
, , , , , , , , ,