کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8030916 | 1517670 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Wide variations of SiCxNy:H thin films optical constants deposited by H2/N2/Ar/hexamethyldisilazane microwave plasma
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Wide variations of SiCxNy:H thin films optical constants deposited by H2/N2/Ar/hexamethyldisilazane microwave plasma Wide variations of SiCxNy:H thin films optical constants deposited by H2/N2/Ar/hexamethyldisilazane microwave plasma](/preview/png/8030916.png)
چکیده انگلیسی
⺠SiCxNy:H thin films deposited by H2/N2/Ar/hexamethyldisilazane microwave plasma ⺠Modification of N2/H2 ratio leads to important variations of C and N film content. ⺠Refractive index (1.75 < n < 2.15) and band gap (3.5 eV < Eg < 5 eV) thin film can be tuned. ⺠Refractive index and band gap values are closely related to SiC bonding density.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 208, 15 September 2012, Pages 46-50
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 208, 15 September 2012, Pages 46-50
نویسندگان
Simon Bulou, Laurent Le Brizoual, Patrice Miska, Ludovic de Poucques, Jamal Bougdira, Mohammed Belmahi,