کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8037823 | 1518296 | 2017 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Work function mapping of MoOx thin-films for application in electronic devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Work function mapping of MoOx thin-films for application in electronic devices Work function mapping of MoOx thin-films for application in electronic devices](/preview/png/8037823.png)
چکیده انگلیسی
The knowledge of the structural and electronic surface morphology is imperative to fully understand the charge transfer at interfaces of electronic devices, such as in photovoltaic (PV) cells. To this aim, here, we use low-energy electron microscopy to probe the unoccupied states of post-annealed MoOx thin-films grown in oxygen excess (xâ¼3.16) and deficient (xâ¼2.57) environments. 2D work function maps are correlated with the surface topography extracted by mirror electron microscopy (MEM) mode, which show homogenous surface morphology and electronic levels for the specimen with xâ¼2.57, while it demonstrates nanoaggregates with different work functions on top of flat surface areas for the sample grown with xâ¼3.16.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 183, December 2017, Pages 99-103
Journal: Ultramicroscopy - Volume 183, December 2017, Pages 99-103
نویسندگان
André L.F. Cauduro, Roberto dos Reis, Gong Chen, Andreas K. Schmid, Horst-Günter Rubahn, Morten Madsen,