کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8038174 | 1518328 | 2015 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative investigation of SiGeC layers using atom probe tomography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The quantification of carbon and germanium in a Si/SiGeC multilayer structure using atom probe tomography has been investigated as a function of analysis conditions. The best conditions for quantitative results are obtained using an intermediate electric field and laser power. Carbon evaporation shows strong spatial and temporal correlation. By using multi-ion event analysis, an evaporation mechanism is put forward to explain the modification of mass spectra as a function of electric field and laser power.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 150, March 2015, Pages 23-29
Journal: Ultramicroscopy - Volume 150, March 2015, Pages 23-29
نویسندگان
Robert Estivill, Adeline Grenier, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Tanguy Terlier, Jean-Paul Barnes, Jean-Michel Hartmann, Didier Blavette,