| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 8038469 | 1518344 | 2013 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												The influence of inelastic scattering on EFTEM images-exemplified at 20 kV for graphene and silicon
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												کلمات کلیدی
												
											موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												We present model-based image simulations for zero-loss and plasmon-loss filtered images at 20 kV for graphene and silicon based on the mutual coherence approach. In addition, a new approximation for the mixed dynamic form factor is introduced. In our calculation multiple elastic scattering and one inelastic scattering are taken into account. The simulation shows that even the intensity of zero-loss filtered image is attenuated by the interference between inelastically scattered waves. Moreover, the intensity of plasmon-loss filtered images cannot be neglected, either.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 134, November 2013, Pages 102-112
											Journal: Ultramicroscopy - Volume 134, November 2013, Pages 102-112
نویسندگان
												Z. Lee, H. Rose, R. Hambach, P. Wachsmuth, U. Kaiser,