کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8038521 | 1518357 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on probe current dependence of the intensity distribution in annular dark field images
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠We obtained experimental quantitative annular dark field image of silicon crystal. ⺠The image contrast in the experiment was decreased as the probe current increases. ⺠We simulated the annular dark field image using multi-slice calculation. ⺠The experimental images were compared with the simulation, quantitatively. ⺠The decrease in the contrast was primarily determined by the size of the cold field emission source.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 121, October 2012, Pages 38-41
Journal: Ultramicroscopy - Volume 121, October 2012, Pages 38-41
نویسندگان
Suhyun Kim, Yoshifumi Oshima, Yasumasa Tanishiro, Kunio Takayanagi,