کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8038521 1518357 2012 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study on probe current dependence of the intensity distribution in annular dark field images
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Study on probe current dependence of the intensity distribution in annular dark field images
چکیده انگلیسی
► We obtained experimental quantitative annular dark field image of silicon crystal. ► The image contrast in the experiment was decreased as the probe current increases. ► We simulated the annular dark field image using multi-slice calculation. ► The experimental images were compared with the simulation, quantitatively. ► The decrease in the contrast was primarily determined by the size of the cold field emission source.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 121, October 2012, Pages 38-41
نویسندگان
, , , ,