کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8039183 | 1518599 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electrical properties of Se-hyperdoped Si via ion implantation and flash lamp annealing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report on the hyperdoping of silicon with selenium obtained by ion implantation followed by flash lamp annealing. It is shown that the degree of crystalline lattice recovery of the implanted layers and the Se substitutional fraction depend on the pulse duration and energy density of the flash. While the annealing at low energy densities leads to an incomplete recrystallization, annealing at high energy densities results in a decrease of the substitutional fraction of impurities. The electrical properties of the implanted layers are well-correlated with the structural properties resulting from different annealing processing.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 424, 1 June 2018, Pages 52-55
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 424, 1 June 2018, Pages 52-55
نویسندگان
Fang Liu, S. Prucnal, Ye Yuan, R. Heller, Y. Berencén, R. Böttger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Zhou,