کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8039328 1518605 2018 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of helium ion beam treatment on wet etching of silicon dioxide
ترجمه فارسی عنوان
اثر درمان پرتو یونی هلیوم در اکسایش مرطوب دی اکسید سیلیکون
کلمات کلیدی
پرتو یون افزایش اچ، دی اکسید سیلیکون، میکروسکوپ یون هلیوم، نقص ناشی از اشعه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
چکیده انگلیسی
We investigated the effect of helium ion beam treatment on the etching rate of silicon dioxide in a water based solution of hydrofluoric acid. A 460-nm-thick silicon dioxide film on silicon was irradiated with helium ions having energies of 20 keV and 30 keV with ion fluences ranging from 1014 cm−2 to 1017 cm−2. The dependence of the etching rate on depth was obtained and compared with the depth distribution of ion-induced defects, which was obtained from numerical simulation. Irradiation with helium ions results in an increase of the etching rate of silicon dioxide. The dependence of the etching rate on the calculated concentration of ion-induced defects is described.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 418, 1 March 2018, Pages 94-100
نویسندگان
, , , ,