کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
8039918 1518647 2016 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the origin of dislocation loops in irradiated materials: A point of view from silicon
ترجمه فارسی عنوان
در منشاء حلقه های جابجایی در مواد پرتوزا: یک دیدگاه از سیلیکون
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد سطوح، پوشش‌ها و فیلم‌ها
چکیده انگلیسی
It is suggested that, beyond silicon, the same type of scenario may take place in many materials. Dislocation loops are just one, easily detectable among many, type of defects which forms during the growth of self-interstitials. They do not nucleate but result from the growth and transformation of smaller defects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 374, 1 May 2016, Pages 82-89
نویسندگان
, ,