کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8044196 | 1518915 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Time-dependent dielectric breakdown of recessed AlGaN/GaN-on-Si MOS-HFETs with PECVD SiO2 gate oxide
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reports the first-time evaluation of the time-dependent dielectric breakdown of recessed AlGaN/GaN-on-Si metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors (MOS-HFETs) with plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) SiO2 gate oxide. The interface fixed charge density and oxide bulk charge density extracted from the flat-band voltage characteristics were 2.7â¯Ãâ¯1011 ± 6.54â¯Ãâ¯1010â¯cmâ2 and -9.71â¯Ãâ¯1017 ± 5.18â¯Ãâ¯1016â¯cmâ3, respectively. The time dependent dielectric breakdown (TDDB) characteristics exhibited longer lifetime estimation as the SiO2 thickness increased. The excellent reliability of the PECVD SiO2 film was validated for use as the gate oxide of recessed AlGaN/GaN MOS-HFET.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 155, September 2018, Pages 428-433
Journal: Vacuum - Volume 155, September 2018, Pages 428-433
نویسندگان
Hyun-Seop Kim, Su-Keun Eom, Kwang-Seok Seo, Hyungtak Kim, Ho-Young Cha,