کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8044306 | 1518918 | 2018 | 16 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of post-annealing on laser-ablation deposited WS2 thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We deposited WS2 thin films by pulsed laser deposition on sapphire substrates at room temperature, and studied the effect of post-annealing temperature on the quality of the WS2 films. By comparing the full-width-at-half-maximum of the characteristic WS2 Raman peaks, we explored the relationship between the post-annealing temperature and the crystallinity of WS2 films. Optoelectronic measurements conducted on post-annealed WS2 film-based photodetectors showed improvement with rising annealing temperatures. Our study revealed the possibility of preparing large-area dichalcogenides for optoelectronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 152, June 2018, Pages 239-242
Journal: Vacuum - Volume 152, June 2018, Pages 239-242
نویسندگان
H. Wang, S.M. Ng, H.F. Wong, W.C. Wong, K.K. Lam, Y.K. Liu, L.F. Fei, Y.B. Zhou, C.L. Mak, Y. Wang, C.W. Leung,