کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8044692 | 1518922 | 2018 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of silicon surfaces implanted with silver ions at low energy using spectroscopic ellipsometry
ترجمه فارسی عنوان
شناسایی سطوح سیلیکون با استفاده از یون های نقره ای در انرژی کم با استفاده از بیضه سنجی اسپکتروسکوپی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ایمپلنت یون بیضه سنجی طیف سنجی، سیلیکون آمورف،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
چکیده انگلیسی
An amorphous silicon (α-Si) layers formed on the surface of single-crystal substrate (c-Si) by low-dose implantation with silver ions were studied by spectroscopic ellipsometry. Ion implantation of c-Si was carried out with energy of 30 keV, current density varied from 0.1 to 5 μA/cm2 and with doses in the range of 6.24·1012-1.3·1016 ion/cm2. The effect of non-linear increase in the generation rate of radiation defects with a grow of current density was observed and discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 148, February 2018, Pages 254-257
Journal: Vacuum - Volume 148, February 2018, Pages 254-257
نویسندگان
V.V. Bazarov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, A.L. Stepanov,