کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8045066 | 1518968 | 2014 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence spectra of nitrogen-rich InN thin films grown on Si(110) and photoelectrochemical etched Si(110)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Indium nitride (InN) thin films were deposited on anisotropic silicon [Si(110)] and photoelectrochemical etched silicon [Psi(110)] substrates by reactive radio-frequency sputtering. All deposited films showed wurtzite nanocrystalline InN films with a (101) preferred growth orientation. The optical properties of the nitrogen-rich InN thin films were investigated under various deposition gas concentrations. Strong photoluminescence was observed in the 1.8Â eV-1.98Â eV energy range for nanocrystalline InN grown on Si(110) at room temperature. The lower energy emission peak was achieved for InN grown on PSi(110) samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 101, March 2014, Pages 217-220
Journal: Vacuum - Volume 101, March 2014, Pages 217-220
نویسندگان
M. Amirhoseiny, Z. Hassan, S.S. Ng,