کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8045422 | 1518982 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystallization of ITO and TiO2 by RF plasma treatment
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Amorphous films were crystallized within few minutes without heating using RF plasma. ⺠The key parameter of the plasma crystallization process is the plasma gas pressure. ⺠The parameter depends on the plasma gas species and applied RF power. ⺠Easiness of plasma crystallization depends on the film preparation conditions. ⺠The plasma excitation in crystallization should be different from heat excitation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 87, January 2013, Pages 145-149
Journal: Vacuum - Volume 87, January 2013, Pages 145-149
نویسندگان
Hisashi Ohsaki, Ryou Andou, Akira Kinbara, Toshiya Watanabe,