کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
814646 | 906260 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
lemental Ratio Controlled Semiconductor Type of Bismuth Telluride Alloy Thin Films
ترجمه فارسی عنوان
نوع نیمه رسانای کنترل شده نسبت ضریب لنتال انواع نازک های آلیاژ تیلورید بیسموت
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مکانیک مواد
چکیده انگلیسی
Bismuth telluride alloy thin films were prepared on quartz substrates by co-sputtering method and thermally annealed at 423∼623 K, for 1 h. It is found that the Te/Bi ratio decreases upon thermal annealing, indicating the loss of Te as a result of evaporation. This leads to the transformation of Bi2Te3 thin films from n-type to p-type, and consequently the change of Seebeck coefficient from the negative value to the positive one. In addition, the grain growth occurs during thermal annealing, in particular, at higher temperature, as a result, both the electrical conductivity and the seebeck coefficient are increased.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Rare Metal Materials and Engineering - Volume 44, Issue 12, December 2015, Pages 3041-3044
Journal: Rare Metal Materials and Engineering - Volume 44, Issue 12, December 2015, Pages 3041-3044