کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8148050 | 1524156 | 2018 | 18 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ferroelectric polarization effect on hysteresis behaviors of single-walled carbon nanotube network field-effect transistors with lead zirconate-titanate gating
ترجمه فارسی عنوان
اثر قطبش برشی الکتریکی بر رفتارهای هیسترزیس ترانزیستورهای میدان مغناطیسی نانولوله کربنی تک کانال با اتصالات زیرکونات تیتانات سرب
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
قطبش قطب الکترومغناطیسی، هیسترزیس، نانولوله های کربنی، ترانزیستورها، فرایند تله / غرق شدن شارژ،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
We report the fabrication of single-walled carbon nanotube (SWCNT) network transistors by ferroelectric Pb(Zr0.4Ti0.6)O3 (PZT) bottom-gating and investigate the polarization effects of PZT on the transport properties of the transistor device. Our devices exhibit typical p-channel transistor characteristics and a large hysteresis loop with high ON/OFF current ratio and large ON current as well as memory window (MW) measured up to 5.2Â V. The origin of clockwise hysteresis is attributed to ferroelectric polarization modulated charge trapping/de-trapping process in the interface states between SWCNT networks and PZT. The retention time about 104s with two high stable current states preliminarily demonstrates great potential for future non-volatile memory applications based on such SWCNT/PZT hybrid systems.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 18, Issue 3, March 2018, Pages 324-328
Journal: Current Applied Physics - Volume 18, Issue 3, March 2018, Pages 324-328
نویسندگان
Yilin Sun, Dan Xie, Ruixuan Dai, Mengxing Sun, Weiwei Li, Tianling Ren,