کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8168743 | 1526295 | 2016 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel source-drain follower for monolithic active pixel sensors
ترجمه فارسی عنوان
یک دنبال کننده جدید منبع-تخلیه برای سنسورهای پیکسل فعال یکپارچه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
چکیده انگلیسی
A test chip, manufactured in a 180Â nm CMOS image sensor process, implements small prototype pixel matrices in different flavors to compare the standard SF to the novel SF and to the novel SF with additional shielding. The effective sensing node capacitance was measured using a 55Fe source. Increasing reverse substrate bias from â1Â V to â6Â V reduces Ceff by 38% and the equivalent noise charge (ENC) by 22% for the standard SF. The SDF provides a further 9% improvement for Ceff and 25% for ENC. The SDF circuit with additional shielding provides 18% improvement for Ceff, and combined with â6Â V reverse bias yields almost a factor 2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 831, 21 September 2016, Pages 147-155
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 831, 21 September 2016, Pages 147-155
نویسندگان
C. Gao, G. Aglieri, H. Hillemanns, G. Huang, A. Junique, M. Keil, D. Kim, M. Kofarago, T. Kugathasan, M. Mager, C.A. Marin Tobon, P. Martinengo, H. Mugnier, L. Musa, S. Lee, F. Reidt, P. Riedler, J. Rousset, P. Yang,