کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8180701 | 1526430 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Progress in the realization of a silicon-CNT photodetector
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
ابزار دقیق
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The realization of a Silicon Carbon Nanotube heterojuntion opens the door to a new generation of photodetectors (Si-CNT detector) based on the coupling between this two materials. In particular the growth of Multiwall Carbon Nanotubes on the surface of a n-doped silicon substrate results on a Schottky diode junction with precise rectifying characteristics. The obtained device presents a low dark current, high efficiency in the photoresponsivity, high linearity and a wide stability range. The junction barrier is about 3.5Â V in reverse polarity with a breakdown limit at more than 100Â V. The spectral behavior reflects the silicon spectral range with a maximum at about 880Â nm.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 695, 11 December 2012, Pages 150-153
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 695, 11 December 2012, Pages 150-153
نویسندگان
C. Aramo, A. Ambrosio, M. Ambrosio, P. Castrucci, M. Cilmo, M. De Crescenzi, E. Fiandrini, F. Guarino, V. Grossi, E. Nappi, M. Passacantando, G. Pignatel, S. Santucci, M. Scarselli, A. Tinti, A. Valentini,