کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8943409 | 1645145 | 2018 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved performance of graphene oxide based resistive memory devices through hydrogen plasma
ترجمه فارسی عنوان
عملکرد بهبود یافته دستگاه های حافظه مقاوم بر اساس اکسید گرافین از طریق پلاسمای هیدروژن بهبود یافته است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
مواد کربن، اینترفیس ها، خواص الکتریکی، رامان،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Letters - Volume 232, 1 December 2018, Pages 62-65
Journal: Materials Letters - Volume 232, 1 December 2018, Pages 62-65
نویسندگان
P. Justin Jesuraj, R. Parameshwari, K. Jeganathan,