کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8960118 | 1646381 | 2018 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fan-in analysis of a leaky integrator circuit using charge transfer synapses
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل فن در یک مدار انتگرال نشت با استفاده از سیناپس انتقال شارژ
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
هوش مصنوعی
چکیده انگلیسی
It is shown that a simple leaky integrator (LI) circuit operating in a dynamic mode can allow spatial and temporal summation of weighted synaptic outputs. The circuit incorporates a current mirror configuration to sum charge packets released from charge transfer synapses and an n-channel MOSFET, operating in subthreshold, serves to implement a leakage capability, which sets the decay time for the postsynaptic response. The focus of the paper is to develop an analytical model for fan-in and validate the model against simulation and experimental results obtained from a prototype chip fabricated in the AMS 0.35 µm mixed signal CMOS technology. We show that the model predicts the theoretical limit on fan-in, relates the magnitude of the postsynaptic response to weighted synaptic inputs and captures the transient response of the LI when stimulated with spike inputs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Neurocomputing - Volume 314, 7 November 2018, Pages 78-85
Journal: Neurocomputing - Volume 314, 7 November 2018, Pages 78-85
نویسندگان
Thomas Dowrick, Liam McDaid, Stephen Hall,