کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9566688 | 1388367 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interactions of germanium atoms with silica surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
GeH4 is thermally cracked over a hot filament depositing 0.7-15Â ML Ge onto 2-7Â nm SiO2/Si(1Â 0Â 0) at substrate temperatures of 300-970Â K. Ge bonding changes are analyzed during annealing with X-ray photoelectron spectroscopy. Ge, GeHx, GeO, and GeO2 desorption is monitored through temperature programmed desorption in the temperature range 300-1000Â K. Low temperature desorption features are attributed to GeO and GeH4. No GeO2 desorption is observed, but GeO2 decomposition to Ge through high temperature pathways is seen above 750Â K. Germanium oxidization results from Ge etching of the oxide substrate. With these results, explanations for the failure of conventional chemical vapor deposition to produce Ge nanocrystals on SiO2 surfaces are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 4, 15 November 2005, Pages 878-882
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 4, 15 November 2005, Pages 878-882
نویسندگان
Scott K. Stanley, Shawn S. Coffee, John G. Ekerdt,