کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9566774 | 1503712 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Correlation between the growth-per-cycle and the surface hydroxyl group concentration in the atomic layer deposition of aluminum oxide from trimethylaluminum and water
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The growth-per-cycle (GPC) in the trimethylaluminum/water atomic layer deposition (ALD) process is shown to be quantitatively correlated with the surface OH group concentration before the trimethylaluminum reaction. The correlation corresponds to a reaction chemistry, where several types of gas-solid reactions (ligand exchange, dissociation/association) can occur simultaneously, and where steric hindrance by adsorbed methyl groups terminates the trimethylaluminum reaction. The commonly assumed reaction chemistry where one OH group bonds one aluminum atom through ligand exchange does not describe satisfactorily the trimethylaluminum/water process, and should perhaps not be expected to describe other ALD processes either.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 245, Issues 1â4, 30 May 2005, Pages 6-10
Journal: Applied Surface Science - Volume 245, Issues 1â4, 30 May 2005, Pages 6-10
نویسندگان
Riikka L. Puurunen,