کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9566869 | 1503707 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Well-aligned ZnO nanowires grown on Si substrate via metal-organic chemical vapor deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Well-aligned ZnO nanowires grown on Si substrate via metal-organic chemical vapor deposition Well-aligned ZnO nanowires grown on Si substrate via metal-organic chemical vapor deposition](/preview/png/9566869.png)
چکیده انگلیسی
ZnO nanowires were grown on silicon substrate by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) without catalysts. The scanning electron microscopy (SEM) observations along with X-ray diffraction (XRD) results suggest that the ZnO nanowires are single crystals vertically well-aligned to silicon substrate. Room-temperature photoluminescence (PL) measurement reveals strong UV emission and weak green emission, which demonstrates that the nanowires are of good optical properties. The mechanism of the catalyst-free growth of ZnO nanowires on silicon substrate is proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 250, Issues 1â4, 31 August 2005, Pages 280-283
Journal: Applied Surface Science - Volume 250, Issues 1â4, 31 August 2005, Pages 280-283
نویسندگان
Yu-Jia Zeng, Zhi-Zhen Ye, Wei-Zhong Xu, Li-Ping Zhu, Bing-Hui Zhao,