کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567287 | 1503713 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface elemental segregation and the Stranski-Krastanow epitaxial islanding transition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
It is shown that a new segregation-based mechanism underpins the Stranski-Krastanow (S-K) epitaxial islanding transition in both the InxGa1âxAs/GaAs and Si1âxGex/Si systems over wide ranges of growth conditions. Quantitative segregation calculations allow critical 'wetting' layer thicknesses to be derived and, for the InxGa1âxAs/GaAs system (x = 0.25-1), such calculations show good agreement with experimental measurements. The segregation-mediated driving force is considered to be important, also, for all other epitaxial systems which comprise chemically similar but substantially misfitting materials and which exhibit the S-K transition.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 65-70
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 65-70
نویسندگان
A.G. Cullis, D.J. Norris, M.A. Migliorato, M. Hopkinson,