کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567331 | 1503713 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterisation of amorphous GaN films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Characterisation of amorphous GaN films Characterisation of amorphous GaN films](/preview/png/9567331.png)
چکیده انگلیسی
Amorphous GaN thin films have been deposited using an ion-assisted deposition technique. These films are typically 100-400Â nm in thickness and show promising optoelectronic properties. X-ray absorption near edge spectroscopy reveals that a significant amount of molecular nitrogen is trapped near the substrate-film interface, where the films show the least microcrystalline structure. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) depth profiles through this interface reveal a complex structure where nitrogen concentration peaks at the interface and oxygen contamination of the film peaks a short distance into the films. Crystallinity increases with film thickness and with decreasing oxygen levels. Control of oxygen levels in the films reveals that indeed the amorphous nature of the films is tied to this oxygen content.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 264-268
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 264-268
نویسندگان
J.B. Metson, B.J. Ruck, F. Budde, H.J. Trodahl, A. Bittar, K.E. Prince,