کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567350 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Zn3N2 compensated ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Zn3N2 compensated ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy Zn3N2 compensated ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices grown by hot wall epitaxy](/preview/png/9567350.png)
چکیده انگلیسی
Nitrogen-doped (N-doped) p-type ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices (SLs) were prepared on GaAs (1Â 0Â 0) substrates by hot wall epitaxy (HWE) using NH3 gas and Zn3N2 as a codoping source. We have investigated the compensation effect of Zn3N2 and optimized the growth conditions. Then the nitrogen-doped ZnTe films and ZnTe-ZnSe superlattices of high crystal quality with a high hole concentration were obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 343-346
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 343-346
نویسندگان
S. Sakakibara, Y. Inoue, H. Mimura, K. Ishino, A. Ishida, H. Fujiyasu,