کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9567359 1503713 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of Zn1−xCdxO films using remote plasma MOCVD
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Growth and characterization of Zn1−xCdxO films using remote plasma MOCVD
چکیده انگلیسی
Zn1−xCdxO films were successfully grown by remote plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition (RPE-MOCVD) with diethyl zinc, dimethyl cadmium, and oxygen plasma. The Cd composition x in the Zn1−xCdxO films was tuned by changing a flow rate of group-II sources. With increasing the Cd composition x, the crystal structure was changed from wurzite (WZ) to rock-salt (RS). The optical band-gap of the Zn1−xCdxO films with the wurzite structure up to x ≤ 0.7 varied from 3.3 eV down to 1.9 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1–4, 15 May 2005, Pages 381-384
نویسندگان
, , , , ,