کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567359 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and characterization of Zn1âxCdxO films using remote plasma MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Growth and characterization of Zn1âxCdxO films using remote plasma MOCVD Growth and characterization of Zn1âxCdxO films using remote plasma MOCVD](/preview/png/9567359.png)
چکیده انگلیسی
Zn1âxCdxO films were successfully grown by remote plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition (RPE-MOCVD) with diethyl zinc, dimethyl cadmium, and oxygen plasma. The Cd composition x in the Zn1âxCdxO films was tuned by changing a flow rate of group-II sources. With increasing the Cd composition x, the crystal structure was changed from wurzite (WZ) to rock-salt (RS). The optical band-gap of the Zn1âxCdxO films with the wurzite structure up to x â¤Â 0.7 varied from 3.3 eV down to 1.9 eV.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 381-384
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 381-384
نویسندگان
Junji Ishihara, Atsushi Nakamura, Satoshi Shigemori, Toru Aoki, Jiro Temmyo,