کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9567360 | 1503713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth of MgxZn1 â xO films using remote plasma MOCVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
MgxZn1 â xO films were successfully grown on a-plane sapphire (112¯0) substrates by remote plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition (RPE-MOCVD). Diethyl zinc (DEZn), bis-ethylcyclopentadienyl magnesium (EtCp2Mg) and oxygen plasma were used as source materials. By increasing Mg content in the films, the crystal structure was shifted through a mixed state from wurtzite to rock-salt with no significant segregation. Both optical absorption edges and emission peaks of MgxZn1 â xO films shifted to the higher energy by increasing the Mg content at room temperature, showing an alloy broadening. The Stokes' shift of wurtzite MgxZn1 â xO alloy films was quantitatively evaluated, resulting in a linear dependence on the absorption edge energy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 385-388
Journal: Applied Surface Science - Volume 244, Issues 1â4, 15 May 2005, Pages 385-388
نویسندگان
Atsushi Nakamura, Junji Ishihara, Satoshi Shigemori, Toru Aoki, Jiro Temmyo,