کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9594696 | 1507985 | 2005 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth and annealing of GaInAsN: density-functional calculations on the reactions of surface and bulk structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Chemisorption - جذب سطحی شیمیاییSolid–gas interfaces - رابط های جامد گازChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییGrowth - رشدDensity-functional calculations - محاسبات توابع محاسباتیModels of surface chemical reactions - مدل های واکنش های شیمیایی سطحSurface chemical reaction - واکنش شیمیایی سطحGallium arsenide - گالسیوم آرسنید
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The annealing behaviour of bulk structures formed by deposition is investigated using energetic data calculated by the density-functional supercell method. Ga4âmInmN centres are the most stable arrangements in the bulk. During the annealing process nitrogen atoms move from the Ga4N centres to isolated indium atoms or pairs of indium atoms by N/As exchange. This is supported by the calculated blueshift of the band-gap during the exchange process, which agrees well with the experimental observed blueshift.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 574, Issues 2â3, 10 January 2005, Pages 144-152
Journal: Surface Science - Volume 574, Issues 2â3, 10 January 2005, Pages 144-152
نویسندگان
Arndt Jenichen, Cornelia Engler, Gunnar Leibiger, Volker Gottschalch,