کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595112 | 1507966 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DIET in highly charged ion interaction with silicon surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have observed mass spectra of desorbed ions from a clean and a hydrogen terminated silicon surfaces by the impact of highly charged ions (Xeq+, q = 26, 34, 44 and 50). The released ions mainly consist of proton for both surfaces, and the quantum yield of proton desorption for hydrogen terminated surface exceeds unity. It is seemed that charge state dependence of ion yield roughly follows q5 rule reported by Kuroki et al. in the experiments for lower charge states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 593, Issues 1â3, 20 November 2005, Pages 318-323
Journal: Surface Science - Volume 593, Issues 1â3, 20 November 2005, Pages 318-323
نویسندگان
S. Takahashi, K. Nagata, M. Tona, M. Sakurai, N. Nakamura, C. Yamada, S. Ohtani,