کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595205 | 1507970 | 2005 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Band structure and electron gas of In chains on Si(1Â 1Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Indium - ایندیومSelf-assembly - خودآموزیSingle crystal surfaces - سطوح کریستال تکDensity functional calculations - محاسبات عملکردی تراکمNanostructures - نانوساختارهاSurface electronic phenomena (work function, surface potential, surface states, etc.) - پدیده های الکترونیکی سطح (عملکرد کار، پتانسیل سطح، سطح سطح، و غیره)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Band structure and electron gas of In chains on Si(1Â 1Â 1) Band structure and electron gas of In chains on Si(1Â 1Â 1)](/preview/png/9595205.png)
چکیده انگلیسی
The quasi-one-dimensional electron gas is studied for chain arrays on In/Si(1 1 1)4 Ã 1 and 4 Ã 2 surfaces using first-principles electronic-structure calculations. The band-structure calculations indicate a metallic (4 Ã 1) and a semimetallic (4 Ã 2) surface system. The latter result contradicts the interpretation of recent photoemission measurements. The partial occupation of the surface bands gives rise to an electron gas with an ill-defined dimensionality but a strong anisotropy. The square of the anisotropic plasma-frequency varies significantly between the directions parallel and perpendicular to the chains. We discuss consequences for the electrical conductivity, optical reflectance anisotropy and electron-energy losses and compare with available experimental data. The results and the comparison with experiments clearly indicate gap openings and a reduction of the metallicity during the phase transition 4 Ã 1 â 4 Ã 2 but not an insulating 4 Ã 2 phase.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 589, Issues 1â3, 1 September 2005, Pages 77-90
Journal: Surface Science - Volume 589, Issues 1â3, 1 September 2005, Pages 77-90
نویسندگان
X. López-Lozano, A.A. Stekolnikov, J. Furthmüller, F. Bechstedt,