کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9595316 | 1395931 | 2005 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanisms of preferential adsorption on the Si(1Â 1Â 1)7Â ÃÂ 7 surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Si(1 1 1)7 × 7Surface relaxation and reconstruction - آرامسازی و بازسازی سطحSurface diffusion - انتشار سطحSelf-assembly - خودآموزیMetal clusters - خوشه های فلزیMetal–Semiconductor interface - رابط نیمه هادی Metal-SemiconductorAdsorption kinetics - سینتیک جذبMonte carlo simulations - شبیه سازی مونت کارلو
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The surface relaxation mechanisms governing the preferential adsorption of metal atoms onto the faulted half-cells of a 7Â ÃÂ 7 reconstructed Si(1Â 1Â 1) surface are studied by rate equations and kinetic Monte Carlo simulations. The versatility of these mechanisms to control the formation of quasi-perfect 2D arrays of metal clusters is revealed via the optimization of the deposition/annealing conditions as a function of operating mechanisms, the Si(1Â 1Â 1)7Â ÃÂ 7 energy landscape, and the thermal stability of the created clusters. The influence on the formation process of such nanoarrays of the balance between kinetic limitations, which are especially relevant on Si(1Â 1Â 1)7Â ÃÂ 7, and thermodynamic tendencies is discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 575, Issue 3, 1 February 2005, Pages 247-259
Journal: Surface Science - Volume 575, Issue 3, 1 February 2005, Pages 247-259
نویسندگان
E. Vasco,