کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9671861 1450490 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical characteristics of In(Ga)As quantum dots on (100) InP substrate for 1.5 μm laser diodes
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Optical characteristics of In(Ga)As quantum dots on (100) InP substrate for 1.5 μm laser diodes
چکیده انگلیسی
We report on round quantum dots grown on InP (100) substrate, which emit around 1.55 μm. At 10 K the full width at half maximum is as small as 28 meV, attesting a rather uniform size distribution. The carrier lifetimes are almost the same across the whole photoluminescence band, indicating the good isolation of quantum dots. Continuous-wave lasings are observed at room temperature from laser diodes made of these quantum dots.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3–6, March–June 2005, Pages 190-193
نویسندگان
, , , , , , , , , , ,