کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9671882 | 1450490 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
How to restrain Auger recombination predominance in the threshold of asymmetric bi-quantum-well lasers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Both radiative and nonradiative processes which occur in the active region of GaInAs-GaInAsP-InP asymmetric multiple quantum-well (AMQW) heterolasers with two quantum wells of different width (4 and 9Â nm) are described. Several possible processes of non-radiative Auger recombination which affect the temperature sensitivity of the lasing threshold are analyzed and the temperature dependencies of the investigated processes are presented. For the above-mentioned AMQW heterostructure, it is shown that the influence of the Auger recombination processes on the temperature behaviour of the lasing threshold can be restrained by operation at temperatures lower than 340Â K and the cavity losses which do not exceed 60Â cmâ1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 264-268
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issues 3â6, MarchâJune 2005, Pages 264-268
نویسندگان
I.A. Sukhoivanov, O.V. Mashoshyna, V.K. Kononenko, D.V. Ushakov,