کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672139 | 1450564 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Layout dependency induced deviation from Poisson area scaling in BEOL dielectric reliability
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper, the TDDB lifetime of sub-100 nm single damascene structures is investigated to check the validity of the classical Poisson area scaling for BEOL dielectric reliability. A parameter RLN (ratio of line length over number of turnings) is defined to quantify the layout critical area contribution to the BEOL dielectric breakdown lifetimes. Structures with different RLN's, metal materials and layouts are compared. It is found that for similar layouts with different RLN's, the TDDB lifetime will deviate from the Poisson area-scaling trend.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1299-1304
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1299-1304
نویسندگان
Y.-L. Li, Zs. Tökei, Ph. Roussel, G. Groeseneken, K. Maex,