کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672186 | 1450564 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Localization of Marginal Circuits for Yield Diagnostics Utilizing a Dynamic Laser Stimulation Probing System
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We demonstrate isolation of marginal circuits utilizing a probing system with dual time-resolved emission (TRE) and dynamic laser stimulation (DLS) capabilities. Due to design-process interactions, failure of a BIST pattern in random frame buffer I/O cells was causing yield loss. Starting with only the failures' symptoms, we rapidly isolated the problem to a circuit within a PLL, using a PC-based test setup.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1554-1557
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1554-1557
نویسندگان
J.Y. Liao, G.L. Woods, X. Chen, H.L. Marks,