کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672193 | 1450564 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DC-to-RF dispersion effects in GaAs- and GaN-based heterostructure FETs: performance and reliability issues
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The performance and reliability implications of DC-to-RF dispersion effects are addressed. The proposed physical explanations and technological counteractions are reviewed. GaAs- and GaN-based FET technologies are considered, trying to point out both similar and peculiar aspects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1585-1592
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1585-1592
نویسندگان
G. Verzellesi, G. Meneghesso, A. Chini, E. Zanoni, C. Canali,