کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9672193 1450564 2005 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
DC-to-RF dispersion effects in GaAs- and GaN-based heterostructure FETs: performance and reliability issues
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
DC-to-RF dispersion effects in GaAs- and GaN-based heterostructure FETs: performance and reliability issues
چکیده انگلیسی
The performance and reliability implications of DC-to-RF dispersion effects are addressed. The proposed physical explanations and technological counteractions are reviewed. GaAs- and GaN-based FET technologies are considered, trying to point out both similar and peculiar aspects.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9–11, September–November 2005, Pages 1585-1592
نویسندگان
, , , , ,