کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672196 | 1450564 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On state breakdown in PHEMTs and its temperature dependence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This work shows results of temperature-dependent (from â40 °C to 140 °C) on-state breakdown characterization of commercial PHEMTs from two vendors. Our data shows that in both samples impact ionization in the channel dominates the breakdown phenomenon and that a classical and simple analytical model can describe it with good accuracy. We have observed negligible temperature dependence of impact ionization in one of the samples, while the other shows moderate reduction of impact ionization with increasing temperature.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1605-1610
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1605-1610
نویسندگان
P. Cova, N. Delmonte, R. Menozzi,