کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9672228 | 1450564 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Investigation of charging mechanisms in metal-insulator-metal structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this paper we have investigated the temperature dependence of the charging effects in Metal-Insulator-Metal structures, aiming to obtain a better insight on the charging mechanism of RF-MEMS switch insulating layer. The accumulated charge kinetics have been monitored through the transient response of the depolarization current. The transient response is shown to follow rather a stretched exponential law. The time scale of the process is found to be thermally activated with activation energy determined by Arrhenius plot. The results have been compared to thermally stimulated depolarization current assessment.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1782-1785
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 45, Issues 9â11, SeptemberâNovember 2005, Pages 1782-1785
نویسندگان
M. Exarchos, V. Theonas, P. Pons, G.J. Papaioannou, S. Melle, D. Dubuc, F. Cocetti, R. Plana,