کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
975743 | 933048 | 2007 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Superradiant dissipative tunneling in a double p-i-n semiconductor heterostructure with thermal injection of electrons
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
ریاضیات
فیزیک ریاضی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We propose a semiconductor device with two p-i-n junctions maintained at two different temperatures. When the current injected in the device due to this temperature difference exceeds a threshold value, a superradiant field is created in the first gate that induces an additional current in the second gate. The injection current is amplified by this reaction loop. In this way, the heat flow between the two junctions is partially transformed in superradiant power.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 374, Issue 1, 15 January 2007, Pages 203-210
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 374, Issue 1, 15 January 2007, Pages 203-210
نویسندگان
Eliade Stefanescu, Werner Scheid,