کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9761820 | 1498429 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature dielectric behavior and ac conductivity in metal-containing chalcogenide Ge2S3 films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The capacitance measurements are found to obey the scaling relation C=Aln(TÏâ1), which suggests a relaxation tunneling conduction mechanism. In addition, the analysis of the results suggests that the electronic conduction on adding Cd or Cu to the chalcogenide Ge2S3 films occurs via correlated barrier hopping of electrons. On the other hand, at lower temperatures, there is a deviation in the conduction mechanism from the predictions of the correlated barrier-hopping model.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 176, Issues 1â2, 14 January 2005, Pages 149-154
Journal: Solid State Ionics - Volume 176, Issues 1â2, 14 January 2005, Pages 149-154
نویسندگان
S.M. El-Sayed, S.A. Fayek,