کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9778044 | 1510568 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature dependence of luminescence decay in Sn-doped silica
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report an experimental study on the temperature dependence, in the range 18-300Â K, of the decay kinetics of the emission at 4.1Â eV from the first excited electronic state of oxygen deficient centers in a 2000Â ppm Sn-doped sol-gel silica. At low temperature, this luminescence decays exponentially with a lifetime of 8.4Â ns, whereas, on increasing the temperature, the time decay decreases and cannot be fitted with an exponential function. These results are expected if there is a competition between the radiative and the thermally activated intersystem-crossing decay channels toward the associated triplet state. The comparison with previous data in pure oxygen-deficient and Ge-doped silica gives new insight on the effect of the host-matrix dynamics on the electronic properties of this type of point defect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 351, Issues 21â23, 15 July 2005, Pages 1937-1940
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 351, Issues 21â23, 15 July 2005, Pages 1937-1940
نویسندگان
A. Cannizzo, S. Agnello, M. Cannas, N. Chiodini, M. Leone, A. Paleari,