کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9783918 | 1512026 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron-electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electron-electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells Electron-electron interaction in p-SiGe/Ge quantum wells](/preview/png/9783918.png)
چکیده انگلیسی
The temperature dependent magnetoresistance of high mobility p-SiGe/Ge quantum wells is studied with hole densities ranging from 1.7 to 5.9Â ÃÂ 1011Â cmâ2. At magnetic fields below the onset of quantum oscillations that reflect the high mobility values (up to 75000Â cm2/Vs), we observe the clear signatures of electron-electron interaction. We compare our experiment with the theory of electron-electron interaction including the Zeeman band splitting. The observed magnetoresistance is well explained as a superposition of band structure induced positive magnetoresistance and the negative magntoresistance due to the electron-electron interaction effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 184-187
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volumes 124â125, 5 December 2005, Pages 184-187
نویسندگان
Benjamin Rössner, Hans von Känel, Daniel Chrastina, Giovanni Isella, Bertram Batlogg,