کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9784007 | 1512027 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Cathodoluminescence study of ytterbium doped GaSb
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Yb-doped GaSb ingots have been grown by the Bridgman method. The defect structure and compositional homogeneity of the crystals have been investigated by cathodoluminescence and X-ray microanalysis in the scanning electron microscope. The nature of the point defects has been found to depend on the position along the growth axis. Doping with Yb has been found to reduce the luminescence intensity of GaSb and no infrared emission related to intra-ionic transitions of the Yb3+ ions has been detected.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 121, Issues 1â2, 25 July 2005, Pages 108-111
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 121, Issues 1â2, 25 July 2005, Pages 108-111
نویسندگان
P. Hidalgo, B. Méndez, C. Ruiz, V. Bermúdez, J. Piqueras, E. Diéguez,