کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
9784076 1512029 2005 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface reactivity of Pr and SiO2 at 4H-SiC(0 0 0 1)
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Interface reactivity of Pr and SiO2 at 4H-SiC(0 0 0 1)
چکیده انگلیسی
We use photoelectron spectroscopy to characterize the reactivity of Pr evaporated on SiO2 covered 4H-SiC substrates. We analyze the Si2p, C1s, and O1s core levels and find that Pr reacts at RT with the SiO2 layer to form Pr-silicate. In addition also Pr-silizide is formed as well as Pr-carbides. While the latter are formed as reaction intermediates after Pr evaporation, the Pr-silicate layer is formed upon annealing to 300 °C and is stable up to 800 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1–3, 25 April 2005, Pages 19-22
نویسندگان
, , ,