کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9784076 | 1512029 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface reactivity of Pr and SiO2 at 4H-SiC(0Â 0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We use photoelectron spectroscopy to characterize the reactivity of Pr evaporated on SiO2 covered 4H-SiC substrates. We analyze the Si2p, C1s, and O1s core levels and find that Pr reacts at RT with the SiO2 layer to form Pr-silicate. In addition also Pr-silizide is formed as well as Pr-carbides. While the latter are formed as reaction intermediates after Pr evaporation, the Pr-silicate layer is formed upon annealing to 300 °C and is stable up to 800 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1â3, 25 April 2005, Pages 19-22
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1â3, 25 April 2005, Pages 19-22
نویسندگان
D. SchmeiÃer, G. Lupina, H.J. Muessig,