کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9784128 | 1512029 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Oxynitrides on 4H-SiC(0Â 0Â 0Â 1)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The grown layers were investigated by photoelectron spectroscopy (XPS) for chemical analysis. Concerning the chemical analysis, the general nitrogen content of the samples is compared at different preparation conditions. The films are found to consist mainly of SiO2 and small fraction of silicon nitride. Only a tenth of the nitrogen was incorporated as oxynitride. The results obtained for oxynitride thin films on 4H-SiC are compared to similarly prepared oxynitride layers on Si(1Â 1Â 1) investigated in the past. Furthermore, an additional source of nitrogen due to dopand diffusion in the SiC single crystal is reported.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1â3, 25 April 2005, Pages 270-274
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 118, Issues 1â3, 25 April 2005, Pages 270-274
نویسندگان
P. Hoffmann, A. Goryachko, D. SchmeiÃer,