کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9785610 | 1512649 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optical switching at ZnSe-Ga interfaces via nanoscale light-induced metallisation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A structural transformation induced by optical impulse excitation of only a few mJ/cm2 fluence affecting the nanoscale surface melt layer of gallium at a ZnSe-gallium interface leads to a fast, substantial and fully reversible change in reflectivity of up to 50%. Recovery occurs within a few μs after excitation is withdrawn and less than 1 μs at temperatures more than 4 K below gallium's melting point.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Optics Communications - Volume 254, Issues 4â6, 15 October 2005, Pages 340-343
Journal: Optics Communications - Volume 254, Issues 4â6, 15 October 2005, Pages 340-343
نویسندگان
M. Woodford, K.F. MacDonald, G.C. Stevens, N.I. Zheludev,